penemu lampu LED Biru

Penemu Lampu LED Biru Raih Nobel Fisika 

Profesor Akasaki, Amano, dan Nakamura. Peraih Nobel Fisika 2014 (sumber: Ist)

Buat nambah semangat kita ulik-ulik penerima hadiah nobel  terbaru 2014 dalam bidang Fisika, 

sebagai anak fisika kita bisa berbangga hati atas penemuan ini.

Penghargaan Nobel Fisika 2014 telah diberikan kepada Isamu Akasaki, Meijo University, Nagoya,
 Jepang, dan Nagoya University, Jepang, Hiroshi Amano, Nagoya University, Jepang, dan Shuji
Nakamura, University of California, Santa Barbara, CA, Amerika Serikat,
"Untuk penemuan   efisiensi dioda pemancar cahaya biru yang telah memungkinkan
kecerahan dan hemat energi dari sumber cahaya putih "

Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, dan Shuji Nakamura telah berhasil di mana banyak orang lain telah 
gagal. Mereka mengembangkan LED biru (light emitting diode) yang bersama- sama dengan merah dan hijau yang telah ada, memungkinkan penciptaan hemat energi dari cahaya putih, membunyikan lonceng kematian bagi lampu pijar dan berkontribusi
 untuk menyelamatkan sumber daya penting.

Penemu light emitting diodes biru atau yang dikenal LED mendapatkan penghargaan Nobel di bidang
Fisika. Mereka adalah tiga profesor berkebangsaan Jepang Isamu Akasaki, Hiroshi Amano,
dan Shuji Nakamura.Mereka yang pertama kali membuat LED pada awal tahun 1990-an.
Selanjutnya teknologi tersebut dikembangkan oleh ilmuwan Amerika Serikat.

Dengan mengkombinasikan sinar biru, merah, dan hijau, temuan ini menghasilkan generasi baru pencahayaan yang lebih hemat energi dibandingkan lampu berwarna putih. Pemenang akan mendapatkan hadiah uang sebesar 8 juta kronor atau sekitar Rp 13,5 miliar.
Pemenang nobel fisika 2014 ini diumumkan dalam suatu konferensi pers di Stockholm, Swedia. Selanjutnya mereka bergabung dengan 196 ilmuwan lainnya yang memenangkan nobel di bidang yang sama sejak 1901.

Prof Nakamura yang berada di Jepang menyatakan tidak percaya dengan anugerah nobel tersebut. Sementara Ketua komite juri Nobel Fisika, Prof Per Delsing dari Universitas Teknologi Chalmers di Gothenburg, menyatakan dedikasi ketiga profesor sangat luar biasa. "Apa yang menarik dari pemberian hadiah ini bahwa banyak perusahaan besar berusaha keras menciptakan LED dan mereka gagal. Namun ketiga orang tersebut terus mencoba dan mencoba lagi hingga akhirnya mereka sukses," katanya. Dalam kutipannya komite juri fisika menyatakan bohlam lampu menyinari abad 20, dan abad 21 akan diterangi oleh lampu LED.

Publikasi Isamu Akasaki 

• Origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al, In, Ga) N alloy semiconductors, Shigefusa F. Chichibu, Akira Uedono, Takeyoshi Onuma, Benjamin A. Haskell, Arpan Chakraborty, Takahiro Koyama, Paul T. Fini, Stacia Keller, Steven P. DenBaars, James S. Speck, Umesh K. Mishra, Shuji Nakamura, Shigeo Yamaguchi, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Jung Han, Takayuki Sota, Nature Materials 2006, 5, 810-816. DOI: 10.1038 / nmat1726
• Cyril Pernot, Myunghee Kim, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Takehiko Fujita, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki Hiroshi Amano, Improved Efficiency of 255-280 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes , Appl. Phys. Express 2010, 3, 061004. DOI: 10.1143 / APEX.3.061004 
• Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p-n Junction Blue-Light-Emitting Diode, Isamu Akasaki Hiroshi Amano, Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 9001 DOI: 10.1143 / JJAP.45.9001 
• GaInN-Based Solar Cells Using strained-layer GaInN / GaInN Superlattice Active Freestanding GaN Layer on a Substrate, Yousuke Kuwahara, Takahiro Fujii, Toru Sugiyama, Daisuke Iida, Yasuhiro Isobe, Yasuharu Fujiyama, Yoshiki Morita, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama , Isamu Akasaki and Hiroshi Amano, Appl. Phys. Express 2011, 4, 021001. DOI: 10.1143 / APEX.4.021001 
• Masataka Imura, Kiyotaka Nakano, Gou Narita, Naoki Fujimoto, Narihito Okada, Krishnan Balakrishnan, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Tadashi Noro, Takashi Takagi, Akira Bandoh, Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers , J. Crystal Growth 2007, 298, 257-260. DOI: 10.1016 / j.jcrysgro.2006.10.043 

Publikasi Hiroshi Amano 

• Guangxu Ju, Yoshihiro Kato, Yoshio Honda, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, Hiroshi Amano, X-ray investigations of single GaInN quantum wells grown by atomic layer epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy, Physica status solidi C 2014, 11 (3-4) , 393-396. DOI: 10.1002 / pssc.201300670 
• Koji Okuno, Takahide Oshio, Naoki Shibata, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano, Enhancement of light output power of GaN-based on light emitting diodes using two direction stripe patterned sapphire substrates, Physica status solidi C 2014, 11, 722-725. DOI: 10.1002 / pssc.201300470 
• Yi Lu, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Osamu Oda, KeigoTakeda, Makoto Sekine, Hiroshi Amano, Masaru Hori, Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N2 / H2 plasma excited - effect of TMG flow rate and power VHF, J. Crystal Growth 2014, 391, 97-103. DOI: 10.1016 / j.jcrysgro.2014.01.014 
• Cao Miao, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi and Hiroshi Amano, Growth of InGaN / GaN multiple quantum wells on size-controllable nanopyramid arrays, Jpn. J. Appl. Phys. 2014, 53, 0303060. DOI: 10.7567 / JJAP.53.030306 
• Guangxu Ju, Yoshio Honda, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Amano, In situ X-ray investigation of changing growth Temperatures barrier on InGaN single quantum wells in metal-organic vapor phase epitaxy, J. Appl. Phys. 2014, 115, 094906. DOI: 10.1063 / 1.4867640 
• H. Amano, T. Kawashima, D. Iida, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, Isamu, in nitrides with nonpolar Surfaces (Ed. Tanya Paskova), Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, Germany, 2008, ISBN: 978-3-527-40768-2 

Publikasi Shuji Nakamura 

• Prospects for LED lighting, Siddha Pimputkar, James S. Speck, Steven P. DenBaars, Shuji Nakamura, Nature Photonics, 2009, 3, 180-182. DOI: 10.1038 / nphoton.2009.32 
• Origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al, In, Ga) N alloy semiconductors, Shigefusa F. Chichibu, Akira Uedono, Takeyoshi Onuma, Benjamin A. Haskell, Arpan Chakraborty, Takahiro Koyama, Paul T. Fini, Stacia Keller, Steven P. DenBaars, James S. Speck, Umesh K. Mishra, Shuji Nakamura, Shigeo Yamaguchi, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Jung Han, Takayuki Sota, Nature Mat. 2006, 5, 810-816. DOI: 10.1038 / nmat1726 
• High Power and High External Efficiency m-Plane InGaN Light Emitting Diodes Mathew C. Schmidt, Kwang-Choong Kim, Hitoshi Sato, Natalie Fellows, Hisashi Masui, Shuji Nakamura, Steven P. DenBaars and James S. Speck, Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L126. DOI: 10.1143 / JJAP.46.L126 
• Demonstration of nonpolar m-Plane InGaN / GaN Laser Diodes Mathew C. Schmidt, Kwang-Choong Kim, Robert M. Farrell, Daniel F. Feezell, Daniel A. Cohen, Makoto Saito, Kenji Fujito1, James S. Speck, Steven P . DenBaars and Shuji Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L190. DOI: 10.1143 / JJAP.46.L190 
• Improved electroluminescence on nonpolar m -plane InGaN / GaN quantum wells LEDs, Kwang-Choong Kim, Mathew C. Schmidt, Hitoshi Sato, Feng Wu, Natalie Fellows, Makoto Saito, Kenji Fujito, James S. Speck, Shuji Nakamura, Steven P. DenBaars, Physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 2007, 1, 125-127. DOI: 10.1002 / pssr.200701061